盛美上海首台PECVD SiCN设备顺利出机
盛美上海宣布首台等离子体增强化学气相沉积(PECVD)碳氮化硅(SiCN)设备正式出机,该设备支持55纳米及以下高端IC工艺的后段金属互联工艺应用中的PECVD NDC (SiCN)工艺,应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。
盛美上海宣布首台等离子体增强化学气相沉积(PECVD)碳氮化硅(SiCN)设备正式出机,该设备支持55纳米及以下高端IC工艺的后段金属互联工艺应用中的PECVD NDC (SiCN)工艺,应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。