南亚科：2-3 年后产能将比目前增加 80% 至 100%
南亚科今年将完成 16Gb 规格 DDR5 产品验证，推进 LPDDR5 产品试产，加快 1C、1D、1E 自研制程工艺研发，预计 2026 年资本支出超 520 亿新台币。新厂明年开始装机，明年底至后年贡献产出，预期增加 3 万多片，2-3 年后产能将比目前增加 80% 至 100%。
南亚科今年将完成 16Gb 规格 DDR5 产品验证，推进 LPDDR5 产品试产，加快 1C、1D、1E 自研制程工艺研发，预计 2026 年资本支出超 520 亿新台币。新厂明年开始装机，明年底至后年贡献产出，预期增加 3 万多片，2-3 年后产能将比目前增加 80% 至 100%。